Транзистор STS6601

STS6601 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-26

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 69 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор STS6601 можно заменить на:

Нет элементов для замены