Транзистор STS6N20
STS6N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.05 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 17 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор STS6N20 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KDS3601 |
SMD |
N |
1.6 |
100 |
20 |
4 |
1.3 |
0.48 |
3.7 |
4 |
5 |
175 |
SOP-8 |