Транзистор STS9P2UH7

STS9P2UH7 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SO-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.7 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0225 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 22 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 30.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 220 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STS9P2UH7 можно заменить на:

Нет элементов для замены