Транзистор STSJ100NH3LL
STSJ100NH3LL - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0035 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 655 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STSJ100NH3LL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STS25NH3LL |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
18 |
1 |
25 |
0.0035 |
30 |
50 |
655 |
175 |
SO-8 |