Транзистор STT02N10

STT02N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 14 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 24 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор STT02N10 можно заменить на:

Нет элементов для замены