Транзистор STT812A

STT812A - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.569 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 21 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор STT812A можно заменить на:

Нет элементов для замены