STV160NF02LAT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerSO-10
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 210 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 160 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0027 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 130 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 650 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3210 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STV160NF02LAT4 можно заменить на:
Нет элементов для замены