Справочник электронных компонентов

Транзистор STW10NK80Z

STW10NK80Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.9 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 72 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STW10NK80Z можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
SM8A01NSW	PTH	N	208	800	30	4.5	13	0.38	55	45	745	150	TO-247
SM8A02NSF	PTH	N	277	800	30	4.5	17	0.31	60	44	865	150	TO-220
SM8A02NSW	PTH	N	277	800	30	4.5	17	0.31	60	44	865	150	TO-247
SM8A05NSF	PTH	N	166	800	30	4.5	10	0.58	37	38	500	150	TO-220
SM9A01NSF	PTH	N	192	900	30	4.5	12	0.48	56	29	950	150	TO-220
STP10NK80Z	PTH	N	160	800	30	4.5	9	0.9	72	-	-	150	TO-220