Транзистор SUD50N02-09P
SUD50N02-09P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 39.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 470 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор SUD50N02-09P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SUD50N024-09P |
SMD |
N |
39.5 |
22 |
20 |
3 |
49 |
0.0095 |
10.5 |
10 |
470 |
175 |
TO-252 |