Транзистор SUM33N20-60P

SUM33N20-60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 33 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 75 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 170 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 271 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SUM33N20-60P можно заменить на:

Нет элементов для замены