Транзистор TJ15S10M3

TJ15S10M3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 69 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор TJ15S10M3 можно заменить на:

Нет элементов для замены