Транзистор TJ200F04M3L

TJ200F04M3L - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-220SM

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 375 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 200 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0018 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 460 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2400 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор TJ200F04M3L можно заменить на:

Нет элементов для замены