Транзистор TK10Q60W
TK10Q60W - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: IPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 80 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.43 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TK10Q60W можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK10E60W |
PTH |
N |
100 |
600 |
30 |
3.7 |
9.7 |
0.38 |
20 |
22 |
20 |
150 |
TO-220 |
| TK10P60W |
SMD |
N |
80 |
600 |
30 |
3.7 |
9.7 |
0.43 |
20 |
22 |
20 |
150 |
DPAK |