Справочник электронных компонентов

Транзистор TK12A60D

TK12A60D - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220SIS

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.55 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TK12A60D можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FCP13N60N	PTH	N	116	600	30	4	13	0.258	30.4	-	-	150	TO-220
MME60R290PRH	SMD	N	104	600	30	4	13	0.29	32	45	750	150	TO-263
MML60R290PTH	PTH	N	104	600	30	4	13	0.29	32	45	750	150	TO-262
MMP60R290PCTH	PTH	N	104	600	30	4	13	0.29	32	45	679	150	TO-220
MMP60R290PTH	PTH	N	104	600	30	4	13	0.29	32	45	750	150	TO-220
SIHB12N65E	SMD	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-263
SIHP12N65E	PTH	N	156	650	30	4	12	0.38	35	19	65	150	TO-220AB
STL18NM60N	SMD	N	110	600	30	4	12	0.31	35	-	-	150	PowerFLAT8X8HV