Транзистор TK12P60W
TK12P60W - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.34 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 23 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TK12P60W можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK12E60W |
PTH |
N |
110 |
600 |
30 |
3.7 |
11.5 |
0.3 |
25 |
23 |
23 |
150 |
TO-220 |
| TK12J60W |
PTH |
N |
110 |
600 |
30 |
3.7 |
11.5 |
0.3 |
25 |
23 |
23 |
150 |
TO-3P |
| TK12Q60W |
PTH |
N |
100 |
600 |
30 |
3.7 |
11.5 |
0.34 |
25 |
23 |
23 |
150 |
IPAK |