Транзистор TK32A12N1
TK32A12N1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220SIS
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 120 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 32 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0138 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 330 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TK32A12N1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK32E12N1 |
PTH |
N |
98 |
120 |
20 |
4 |
60 |
0.0138 |
34 |
14 |
330 |
150 |
TO-220 |