Транзистор TK4P50D
TK4P50D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 80 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TK4P50D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK4P55D |
SMD |
N |
80 |
550 |
30 |
4.4 |
4 |
1.88 |
- |
- |
- |
150 |
DPAK |
| TK4P60D |
SMD |
N |
100 |
600 |
30 |
4.4 |
4 |
1.7 |
12 |
18 |
70 |
150 |
DPAK |
| TK5P50D |
SMD |
N |
80 |
500 |
30 |
4.4 |
5 |
1.5 |
- |
- |
- |
150 |
DPAK |
| TK5P53D |
SMD |
N |
80 |
525 |
30 |
4.4 |
5 |
1.5 |
- |
- |
- |
150 |
DPAK |
| TK6P53D |
SMD |
N |
100 |
525 |
30 |
4.4 |
6 |
1.3 |
- |
- |
- |
150 |
DPAK |
| TK7P50D |
SMD |
N |
100 |
500 |
30 |
4.4 |
7 |
1.22 |
- |
- |
- |
150 |
DPAK |