Транзистор TK50P04M1
TK50P04M1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0087 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TK50P04M1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB442 |
SMD |
N |
150 |
40 |
20 |
2.3 |
105 |
0.0042 |
36 |
18 |
744 |
175 |
TO-263 |
| CSD18503KCS |
PTH |
N |
188 |
40 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0045 |
15 |
5.3 |
480 |
175 |
TO-220 |
| CSD18504KCS |
PTH |
N |
115 |
40 |
20 |
2.3 |
89 |
0.007 |
9.2 |
5.2 |
320 |
175 |
TO-220 |
| CSD18533KCS |
PTH |
N |
192 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0063 |
14 |
4.8 |
300 |
175 |
TO-220 |