Транзистор TK65A10N1
TK65A10N1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220SIS
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 65 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0048 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 81 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 950 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TK65A10N1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK65E10N1 |
PTH |
N |
192 |
100 |
20 |
4 |
65 |
0.0048 |
81 |
19 |
950 |
150 |
TO-220 |
| TK65G10N1 |
SMD |
N |
156 |
100 |
20 |
4 |
65 |
0.0045 |
81 |
19 |
950 |
150 |
D2PAK |