Справочник электронных компонентов

Транзистор TK65L60V

TK65L60V - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 465 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 65 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 160 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор TK65L60V можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH80N65X2	PTH	N	890	650	30	5.5	80	0.04	143	42	5510	150	TO-247
IXTH80N65X2	PTH	N	890	650	30	4.5	80	0.04	144	25	5208	150	TO-247
IXTK102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	TO-264P
IXTN102N65X2	Модуль	N	595	650	30	5	76	0.03	152	28	6100	150	MINIBLOC
IXTX102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	PLUS247