Транзистор TMD4N65AZ
TMD4N65AZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 98.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 67 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD4N65AZ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD7N80K5 |
SMD |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
DPAK |
| STP7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
TO-220 |
| STU7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
IPAK |
| TMU4N65AZ |
PTH |
N |
98.4 |
650 |
30 |
5 |
4 |
2.4 |
15 |
22 |
67 |
150 |
IPAK |