Транзистор TMD5N40ZG
TMD5N40ZG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 56 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD5N40ZG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TMU5N40ZG |
PTH |
N |
50 |
400 |
30 |
4 |
3.4 |
1.6 |
7.1 |
10 |
56 |
150 |
IPAK |