Транзистор TMD5N50G
TMD5N50G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 92.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.65 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 32 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 61 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD5N50G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TMD5N50 |
SMD |
N |
92.5 |
500 |
30 |
4 |
4.5 |
1.65 |
11 |
32 |
61 |
150 |
DPAK |
| TMU5N50 |
PTH |
N |
92.5 |
500 |
30 |
4 |
4.5 |
1.65 |
11 |
32 |
61 |
150 |
IPAK |
| TMU5N50G |
PTH |
N |
92.5 |
500 |
30 |
4 |
4.5 |
1.65 |
11 |
32 |
61 |
150 |
IPAK |