Транзистор TMD6N65G
TMD6N65G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD6N65G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TMU6N65G |
PTH |
N |
120 |
650 |
30 |
4 |
5.5 |
1.6 |
17 |
30 |
90 |
150 |
IPAK |