Транзистор TMD830
TMD830 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 98.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD830 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TMD830Z |
SMD |
N |
98.4 |
600 |
30 |
4 |
4.5 |
1.5 |
17 |
21 |
80 |
150 |
DPAK |
| TMU830 |
PTH |
N |
98.4 |
500 |
30 |
4 |
4.5 |
1.5 |
17 |
21 |
80 |
150 |
IPAK |
| TMU830Z |
PTH |
N |
98.4 |
600 |
30 |
4 |
4.5 |
1.5 |
17 |
21 |
80 |
150 |
IPAK |