Транзистор TMD8N60AZ
TMD8N60AZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 23 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 105 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD8N60AZ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB10N95K5 |
SMD |
N |
130 |
950 |
30 |
5 |
8 |
0.8 |
22 |
14 |
50 |
150 |
D2PAK |
| STP10N95K5 |
PTH |
N |
130 |
950 |
30 |
5 |
8 |
0.8 |
22 |
14 |
50 |
150 |
TO-220 |
| STW10N95K5 |
PTH |
N |
130 |
950 |
30 |
5 |
8 |
0.8 |
22 |
14 |
50 |
150 |
TO-247 |
| TMU8N60AZ |
PTH |
N |
120 |
600 |
30 |
5 |
7.5 |
1.2 |
23 |
33 |
105 |
150 |
IPAK |