Транзистор TMPF11N50SG
TMPF11N50SG - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 51.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 374 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMPF11N50SG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMD50R380PRH |
SMD |
N |
83 |
500 |
30 |
3.5 |
11 |
0.38 |
21.8 |
32 |
357 |
150 |
TO-252 |
| TMP11N50SG |
PTH |
N |
158 |
500 |
30 |
3.5 |
10 |
0.7 |
28 |
40 |
374 |
150 |
TO-220 |