Справочник электронных компонентов

Транзистор TMPF20N50

TMPF20N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 48 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 54 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 72 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 296 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TMPF20N50 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
SIHB20N50E	SMD	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-263
SIHG20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-247AC
SIHP20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-220AB
TMAN20N50	PTH	N	312	500	30	4	20	0.3	54	72	296	150	TO-3PN
TMP20N50	PTH	N	290	500	30	4	18	0.3	54	72	296	150	TO-220
TSM20N50CZ	PTH	N	100	500	30	4	18	0.3	54	72	296	150	TO-220