Транзистор TMU5N60Z
TMU5N60Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: IPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 98.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 69 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMU5N60Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TMD5N60Z |
SMD |
N |
98.4 |
600 |
30 |
4 |
4.2 |
2.1 |
18 |
27 |
69 |
150 |
DPAK |