Транзистор TN0104N8

TN0104N8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.6 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.63 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 70 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор TN0104N8 можно заменить на:

Нет элементов для замены