Транзистор TN2010T

TN2010T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23
• SMD-код: R1

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.35 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.12 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 15 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 1.75 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TN2010T можно заменить на:

Нет элементов для замены