Транзистор TPC6010-H
TPC6010-H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: VS-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.059 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TPC6010-H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NVMFS5844NL |
SMD |
N |
3.7 |
60 |
20 |
2.3 |
11.2 |
0.012 |
30 |
25 |
150 |
175 |
DFN5X6 |