Справочник электронных компонентов

Транзистор TPC6110

TPC6110 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: VS-6

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.056 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TPC6110 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFP4435	SMD	P	2.8	30	20	2	10	0.028	10	8	200	150	SOP-8P
AFP4435S	SMD	P	2.8	30	20	2	9	0.018	20	12	350	150	SOP-8P
AFP4435W	SMD	P	2.8	30	20	2	10	0.03	10	8	200	150	SOP-8P
AFP4435WS	SMD	P	2.8	30	20	2	9	0.018	20	12	350	150	SOP-8P
DMP3015LSS	SMD	P	2.5	30	20	2	13	0.017	60.4	-	2748	150	SO-8
DMP3020LSS	SMD	P	2.5	30	25	2	12	0.025	30.7	-	1802	150	SO-8
DMP3035LSS	SMD	P	2.5	30	25	2	11	0.036	30.7	-	1655	150	SO-8
FDS4435A	SMD	P	2.5	30	20	2	9	0.017	30	-	-	150	SO-8
IRF7416GPBF	SMD	P	2.5	30	20	2	10	0.02	61	49	890	150	SO-8
IRF7416PBF	SMD	P	2.5	30	20	2	10	0.02	61	49	890	150	SO-8
IRF7416PBF-1	SMD	P	2.5	30	20	2	10	0.02	61	49	890	150	SO-8
IRF7416QPBF	SMD	P	2.5	30	20	2	10	0.02	61	49	890	150	SO-8