Транзистор TPC8040-H
TPC8040-H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0097 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 330 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TPC8040-H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM3060JGP |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
14 |
0.0078 |
16 |
5 |
325 |
150 |
SO-8 |
| CSD18533Q5A |
SMD |
N |
3.2 |
60 |
20 |
2.3 |
17 |
0.0059 |
14 |
5.5 |
292 |
150 |
SON5X6 |
| MMN4307 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
14 |
0.0078 |
15.24 |
4.68 |
322.62 |
150 |
SOP-8 |
| RJK03M5DNS |
SMD |
N |
15 |
30 |
20 |
- |
25 |
0.0063 |
10.4 |
3 |
220 |
150 |
HWSON8 |
| RS1E150GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E170GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
17 |
0.0067 |
12 |
4.8 |
240 |
150 |
HSOP8 |