Транзистор TPCC8001-H
TPCC8001-H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSONAdvance
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0083 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 27 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 2.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TPCC8001-H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM4006D |
SMD |
N |
44.6 |
40 |
20 |
2.5 |
60 |
0.0075 |
18.8 |
2.6 |
193 |
150 |
TO-252 |