Справочник электронных компонентов

Транзистор TPCC8104

TPCC8104 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TSONAdvance

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 27 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0088 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор TPCC8104 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOD403	SMD	P	90	30	25	3.5	70	0.008	51	12	585	175	TO-252
AOI403	PTH	P	90	30	25	3.5	70	0.0085	51	12	585	175	TO-251A
AON6405	SMD	P	83	30	20	1.6	30	0.007	41	260	755	150	DFN5X6
AP4409GEP-HF	PTH	P	83.3	35	20	-	80	0.0082	58	80	750	150	TO-220
BSC084P03NS3EG	SMD	P	69	30	-	-	78.6	0.0084	43.4	-	-	-	SuperSOT-8
BSC084P03NS3G	SMD	P	69	30	-	-	78.6	0.0084	43	-	-	-	SuperSOT-8
MTB09P03J3	SMD	P	93	30	20	-	75	0.008	56	20	486	150	TO-252