Справочник электронных компонентов

Транзистор TPCC8105

TPCC8105 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TSONAdvance

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 23 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0078 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 76 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор TPCC8105 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AON6405	SMD	P	83	30	20	1.6	30	0.007	41	260	755	150	DFN5X6
AON6407	SMD	P	83	30	25	2.6	85	0.0045	75	16	900	150	DFN5X6
ATP104	SMD	P	60	30	20	-	75	0.0064	76	-	-	150	ATPAK
BSC060P03NS3EG	SMD	P	83	30	-	-	100	0.006	61	-	-	-	SuperSOT-8
IPD068P03L3G	SMD	P	100	30	-	-	70	0.0068	68	-	-	-	DPAK
SM4301PSKP	SMD	P	78	30	25	-	90	0.0064	70	19	640	150	DFN5X6-8
SM4301PSU	SMD	P	78	30	25	-	88	0.0065	70	19	640	150	TO-252
SM4301PSUC	PTH	P	78	30	25	-	88	0.0065	70	19	640	150	TO-251S
SM4309PSKP	SMD	P	78	30	25	-	100	0.0036	70	25	1130	150	DFN5X6-8