Справочник электронных компонентов

Транзистор TPCM8001-H

TPCM8001-H - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор TPCM8001-H можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOD200 SMD N 50 30 20 2.4 36 0.0078 - 2.1 470 175 TO-252
AOD242 SMD N 53.5 40 20 2.3 54 0.0058 - 2.5 405 175 TO-252
AOD418 SMD N 50 30 20 2.5 36 0.0075 - 2 180 175 TO-252
AOD518 SMD N 50 30 20 2.6 54 0.008 - 2.5 373 175 TO-252
AOI418 PTH N 50 30 20 2.5 36 0.008 - 2 180 175 TO-251A
AOI518 PTH N 50 30 20 2.6 54 0.008 - 2.5 373 175 TO-251A
AOL1242 SMD N 68 40 20 2.3 69 0.0052 - 2.5 405 175 UltraSO-8
AON6246 SMD N 83 60 20 2.5 80 0.0064 - 2 258 150 DFN5X6
AON6414A SMD N 31 30 20 2.5 50 0.008 - 2 180 150 DFN5X6
AON6414AL SMD N 31 30 20 2.5 50 0.008 - 2 180 150 DFN5X6
AON6520 SMD N 31 30 20 2.5 50 0.0085 - 2 180 150 DFN5X6
AON6586 SMD N 41 30 20 2.5 35 0.0075 - 2 180 150 DFN5X6
AON6596 SMD N 41 30 20 2.5 35 0.0075 - 2 180 150 DFN5X6
AON7244 SMD N 83 60 20 2.5 50 0.0085 - 2.5 215 150 DFN3.3X3.3
RJK03M4DPA SMD N 30 30 20 - 35 0.0046 12 2.4 260 150 WPAK