Транзистор TPCM8102
TPCM8102 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSSOPAdvance
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0077 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 740 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TPCM8102 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON7405 |
SMD |
P |
83 |
30 |
25 |
2.8 |
50 |
0.0062 |
- |
10 |
550 |
150 |
DFN3.3X3.3 |
| SM3413PSQG |
SMD |
P |
46 |
30 |
25 |
- |
62 |
0.0075 |
- |
13 |
629 |
150 |
DFN3.3X3.3-8 |