Справочник электронных компонентов

Транзистор TPCS8102

TPCS8102 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TSSOP-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.6 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1030 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TPCS8102 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP4451GM-HF	SMD	P	2.5	30	20	-	11	0.014	-	5.5	420	150	SO-8
AP4451GYT-HF	SMD	P	3.57	30	20	-	13.1	0.0145	-	5.5	420	150	PMPAK3X3
AP9561AGM-HF	SMD	P	2.5	40	20	-	9.2	0.018	-	6	370	150	SO-8
CEM8311	SMD	P	2	30	20	-	7.9	0.02	-	7	395	150	SO-8
IRF9358PBF	SMD	P	2	30	20	2.4	9.2	0.0163	19	7.2	360	150	SO-8
KMB010P30QA	SMD	P	2	30	25	-	10	0.012	44.6	6.3	635	150	FLP8
KMB8D0P30QA	SMD	P	2.5	30	20	-	8	0.015	28.2	5.8	295	150	FLP8
MMP4425	SMD	P	3.1	38	25	3	14	0.015	62.04	7.32	332.09	150	SO-8
TPC8108	SMD	P	1.9	30	20	-	11	0.013	-	7	600	150	SOP-8
TPC8109	SMD	P	1.9	30	20	2	10	0.02	-	5	350	150	SOP-8
TPC8113	SMD	P	1.9	30	20	2	11	0.01	107	6	650	150	SOP-8