Транзистор TSM1NB60CP
TSM1NB60CP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 39 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 17.1 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM1NB60CP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TSM1NB60CH |
PTH |
N |
39 |
600 |
30 |
4.5 |
1 |
10 |
6.1 |
6.8 |
17.1 |
150 |
TO-251 |