Транзистор TSM1NB60CW

TSM1NB60CW - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 6.1 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 17.1 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TSM1NB60CW можно заменить на:

Нет элементов для замены