TSM1NB60SCT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 17.1 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM1NB60SCT можно заменить на:
Нет элементов для замены