Справочник электронных компонентов

Транзистор TSM23N50CN

TSM23N50CN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3PN

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 23 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.22 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 66 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 64 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 357 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TSM23N50CN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
SIHB23N60E	SMD	N	227	600	30	4	23	0.158	63	38	119	150	TO-263
SIHG23N60E	PTH	N	227	600	30	4	23	0.158	63	38	119	150	TO-247AC
SIHG25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-247AC
SIHP23N60E	PTH	N	227	600	30	4	23	0.158	63	38	119	150	TO-220AB
SIHP25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-220AB
TMAN23N50	PTH	N	347	500	30	4	23	0.22	66	64	357	150	TO-3PN