Транзистор TSM2N60SCW
TSM2N60SCW - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 56 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM2N60SCW можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS2N60A7H |
PTH |
N |
24 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
8.5 |
5 |
31 |
150 |
TO-126F |
| CS2N60FA9H |
PTH |
N |
24 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.5 |
8.5 |
5 |
31 |
150 |
TO-220F |
| TSM2N60CH |
PTH |
N |
25 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.4 |
13 |
21 |
56 |
150 |
TO-251 |
| TSM2N60CP |
SMD |
N |
25 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.4 |
13 |
21 |
56 |
150 |
TO-252 |