Транзистор TSM4N80CI
TSM4N80CI - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ITO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 38.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM4N80CI можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TSM4N80CZ |
PTH |
N |
123 |
800 |
30 |
4 |
4 |
3 |
20 |
38 |
80 |
150 |
TO-220 |