Транзистор TSM4NB60CH
TSM4NB60CH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 14.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 53.2 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM4NB60CH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK5P60W5 |
SMD |
N |
60 |
600 |
30 |
4.5 |
4.5 |
0.99 |
11.5 |
20 |
11 |
150 |
DPAK |
| TSM4NB60CP |
SMD |
N |
50 |
600 |
30 |
4.5 |
4 |
2.5 |
14.5 |
20 |
53.2 |
150 |
TO-252 |