Транзистор TSM60N06CP
TSM60N06CP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 66 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0073 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 81 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 668 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM60N06CP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y6R0-60E |
SMD |
N |
195 |
60 |
20 |
4 |
100 |
0.006 |
45.4 |
19 |
392 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK7Y7R2-60E |
SMD |
N |
167 |
60 |
20 |
4 |
100 |
0.0072 |
50.8 |
18.3 |
351 |
175 |
LFPAK56 |
| CHM6056PAGP |
SMD |
N |
70 |
60 |
20 |
4 |
76 |
0.0062 |
77 |
15 |
375 |
175 |
TO-252 |
| CS48N80 |
PTH |
N |
111 |
70 |
25 |
4 |
87 |
0.0058 |
76.1 |
14 |
350 |
175 |
TO-220 |