Транзистор TSM802CQ
TSM802CQ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TDFN3X3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 210 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 450 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM802CQ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STL40N75LF3 |
SMD |
N |
4.8 |
75 |
16 |
1 |
10 |
0.019 |
12 |
25 |
228 |
175 |
PowerFLAT5X6 |
| STL50NH3LL |
SMD |
N |
4 |
30 |
16 |
1 |
13 |
0.013 |
9 |
32 |
285 |
150 |
PowerFLAT6X5 |