Транзистор UF2N30
UF2N30 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор UF2N30 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7300N |
SMD |
N |
5 |
300 |
20 |
1 |
2.4 |
0.6 |
14.4 |
9 |
90 |
150 |
DFN3X3-8L |
| SSP7300N |
SMD |
N |
5 |
300 |
20 |
- |
2.4 |
0.6 |
- |
9 |
90 |
150 |
SOP-8PP |